Эпитаксия

Исследовательские установки молекулярно-пучковой эпитаксии

Обоснованные решения

Компания предлагает широкий спектр оборудования для эпитаксиального роста от компактных исследовательских систем до многокамерных производственных комплексов. Тщательное моделирование базовых физических процессов, включающее прямые расчеты потока вещества из источника методом Монте-Карло и аналитические тепловые расчеты нагревательных элементов, позволяет конструировать качественное и функциональное оборудование. Используя развитую технологию моделирования, компания разработала оборудование производственного класса для молекулярно-пучковой эпитаксии и магнетронного распыления. Оригинальные источники, нагреватели, заслонки источников, плазменные источники, системы передачи образцов и прочие ключевые компоненты обладают отличными техническими характеристиками и защищены несколькими патентами на изобретения.

Исследовательские установки молекулярно-пучковой эпитаксии
MBE-200C

MBE-200C

Компактная установка исследовательского класса «flag type» c кубической камерой

MBE-200HMF

MBE-200HMF

Установка исследовательского класса «flag type» c магнитным полем

MBE-300

MBE-300

Установка исследовательского класса «flag type» c 9-источниками

MBE-350O

MBE-350O

Установка исследовательского класса «flag type» для оксидных пленок

MBE-300S

MBE-300S

Установка исследовательского класса «flag type»

MBE-400

MBE-400

Многофункциональная установка молекулярно-пучковой эпитаксии для  подложек 2”

MBE-500

MBE-500

Полнофункциональная установка молекулярно-пучковой эпитаксии для  подложек 2”

Top