Плазменные технологии

Плазмохимическое травление, осаждение, плазменно-стимулированное атомно-слоевое травление и осаждение
Ионно-лучевое травление и осаждение

PlasmaPro 80

PlasmaPro 80

PlasmaPro 80 - современная малогабаритная система с непосредственной загрузкой подложек в рабочую камеру представляет собой гибкое и недорогое решение для проведения исследовательских работ и мелкосерийного производства. Предыдущее поколение установок данной серии хорошо зарекомендовало себя под маркой PlasmaLab 80 Plus (выпуск до 2010 года).

Система на платформе PlasmaPro 80 выпускается в различных вариантах исполнения:

Плазмохимическое осаждение (ПХО, PECVD)
конфигурация применяется для осаждения высококачественных слоев SiO2, Si3N4, SiOxNy, α-Si

Реактивное ионное травление (РИТ, RIE)
выполняет анизотропное травление широкого круга материалов (SiO2, Si3N4, α-Si и т.п.) с использованием F-содержащих газов

Плазмохимическое травление (ПХТ, PE)
используется для "мягкой" плазменной очистки, доснятия фоторезиста, изотропного травления в F-содержащих газах

Комбинированные РИТ/ПХТ (RIE/PE)
системы для приложений реверсивной инженерии, травления слоев пассивации и диэлектрика

Травление и/или осаждение с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP Etch и/или ICP CVD)
многофункциональная конфигурация, выполняет процессы осаждения диэлектриков, задачи травления в F-содержащих газах, задачи реверсивной инженерии включая вскрытие корпусированных устройств

Технические характеристики

Конфигурация

RIE

PECVD

RIE/PE

ICP Etch / ICP CVD

Загрузка
Перчаточный бокс

без шлюза
опция

без шлюза

без шлюза
опция

без шлюза
опция

Максимальный размер подложки

200 мм

200 мм

200 мм

50 мм ICP
200 мм RIE

Диапазон температур подложкодержателя

от +10 до +80 0С

от +60 до +400 0С

от +10 до +80 0С

от +10 до +80 0С
или от -140 до +400 0С

Подача гелия под подложку для улучшения теплового контакта

опция

нет

опция

опция

Возбуждение плазмы

300 Вт
13,56 МГц

300 Вт
13,56 МГц,
опция 500 Вт
100 кГц

300 Вт
13,56 МГц

RIE
300 Вт
13,56 МГц
ICP
300 или 600 Вт
13,56 МГц

Максимальное количество линий подачи технологических газов

8 (12)

Подача газов для легирования

нет

Подача жидких прекурсоров

нет

Интерферометр

опция

нет

опция

опция

Спектроскопия плазмы

опция

Плазменная очистка камеры между процессами

есть

Вакуумная система рабочей камеры

ТМН

насос Рутса

ТМН

ТМН

Система управления

ПЛК, ПК под управлением Windows 10®, PC4500®

Размер основного блока установки, ДхШхВ, мм

762х940х1527

Скачать

Top