PlasmaPro 100 – современная многофункциональная платформа для процессов плазмохимического травления и осаждения. В зависимости от требуемых технологических параметров, установка может оснащаться несколькими модификациями электродов и источниками индуктивно-связанной плазмы различных диаметров. Установка идеально подходит для применения в производстве МЭМС, HBLED, сенсоров, силовых полупроводниковых приборов, используется для задач реверсивной инженерии и анализа отказов. В установке применяется электрод диаметром 240 мм, на котором может быть размещена подложка диаметром от 50 мм до 200 мм. Подложки небольших размеров могут загружаться в камеру на носителе.
Основной технологический модуль систем серии PlasmaPro 100 совместим с технологическими модулями, отвечающими стандарту MESC. В базовом исполнении модуль оснащается вакуумным шлюзом для загрузки подложек, опционально может оснащаться кассетной загрузкой и использоваться в составе кластерной системы в комбинации с модулями PlasmaPro 100, FlexAl, Ionfab, Nanofab.
На платформе PlasmaPro 100 реализуется весь ряд технологических процессов плазмохимического травления и осаждения.
Система на платформе PlasmaPro 100 выпускается в различных вариантах исполнения:
Плазмохимическое осаждение (ПХО, PECVD и PECVD-CVD)
конфигурация применяется для осаждения высококачественных слоев SiO2, Si3N4, SiOxNy, SiC, α-Si
Плазмохимическое осаждение с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP CVD)
конфигурация применяется для получения высококачественных слоев SiO2, Si3N4, SiOxNy, SiC, α-Si при низких температурах осаждения
Реактивное ионное травление (РИТ, RIE)
выполняет анизотропное травление широкого круга материалов (SiO2, Si3N4, α-Si, SiC, InP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN и т.п.) с использованием F и Cl-содержащих газов
Травление с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP Etch)
многофункциональная конфигурация, выполняет процессы травления всего спектра материалов, задачи реверсивной инженерии включая вскрытие корпусированных устройств
Технические характеристики
|
Конфигурации PlasmaPro 100 для плазмохимического травления (RIE, ICP Etch) |
||||
|---|---|---|---|---|
| Конфигурация | RIE | ICP65 | ICP180 | ICP300 |
|
Загрузка |
Вакуумный шлюз или кассетная станция | |||
|
Максимальный размер подложки |
200 мм | 50 мм | 100 мм | 200 мм |
|
Диапазон температур подложкодержателя |
от -20 до +80 0С | от -20 до +80 0С или от -140 до +400 0С | ||
|
Подача гелия под подложку для улучшения теплового контакта |
опция | |||
|
Возбуждение плазмы |
300 или 600 Вт 13,56 МГц |
300 или 600 Вт 13,56 МГц ICP 300 или 600 Вт 13,56 МГц |
300 или 600 Вт 13,56 МГц ICP 1200 Вт 13,56 МГц |
300 или 600 Вт 13,56 МГц ICP 1200 или 3000 Вт 2 МГц |
|
Максимальное количество линий подачи технологических газов |
8 (12) | |||
|
Интерферометр |
нет | опция | ||
|
Спектроскопия плазмы |
опция | |||
|
Плазменная очистка камеры между процессами |
есть | |||
|
Вакуумная система рабочей камеры |
ТМН 500 л/сек | ТМН 500-1500 л/сек | ||
| Конфигурации PlasmaPro 100 для плазмохимического осаждения (PECVD, ICP CVD) | ||||
| Конфигурация | PECVD | ICP65 | ICP180 | ICP300 |
|
Загрузка |
Вакуумный шлюз или кассетная станция | |||
|
Максимальный размер подложки |
200 мм | 50 мм | 100 мм | 200 мм |
|
Диапазон температур подложкодержателя |
от +60 до +400 (700) 0С | от +60 до +400 (700) 0С или от -140 до +400 0С | ||
|
Подача гелия под подложку для улучшения теплового контакта |
нет | опция | ||
|
Возбуждение плазмы |
300 Вт 13,56 МГц, опция 500 Вт 100 кГц |
300 Вт 13,56 МГц ICP 300 или 600 Вт 13,56 МГц |
300 Вт 13,56 МГц ICP 1200 Вт 13,56 МГц |
300 Вт 13,56 МГц ICP 1200 Вт или 3000 Вт 2 МГц |
|
Максимальное количество линий подачи технологических газов |
8 (12) | |||
|
Подача газов для легирования |
опционально: PH3, B2H6, GeH4 и т.п. | |||
|
Подача жидких прекурсоров |
TEOS | нет | ||
|
Интерферометр |
нет | опция | ||
|
Спектроскопия плазмы |
опция | |||
|
Плазменная очистка камеры между процессами |
есть | |||
|
Вакуумная система рабочей камеры |
насос Рутса | ТМН 500-1500 л/сек | ||
|
Система управления |
ПЛК, ПК под управлением Windows 10®, PC4500® | |||
|
Размер основного блока установки (без учета шлюза) ДхШхВ, мм |
1172х650х1531 | 1172х650х1729 | ||