Плазменные технологии

Плазмохимическое травление, осаждение, плазменно-стимулированное атомно-слоевое травление и осаждение
Ионно-лучевое травление и осаждение

PlasmaPro 100

PlasmaPro 100

PlasmaPro 100 – современная многофункциональная платформа для процессов плазмохимического травления и осаждения. В зависимости от требуемых технологических параметров, установка может оснащаться несколькими модификациями электродов и источниками индуктивно-связанной плазмы различных диаметров. Установка идеально подходит для применения в производстве МЭМС, HBLED, сенсоров, силовых полупроводниковых приборов, используется для задач реверсивной инженерии и анализа отказов. В установке применяется электрод диаметром 240 мм, на котором может быть размещена подложка диаметром от 50мм до 200 мм. Подложки небольших размеров могут загружаться в камеру на носителе.
Основной технологический модуль систем серии PlasmaPro 100 совместим с технологическими модулями, отвечающими стандарту MESC. В базовом исполнении модуль оснащается вакуумным шлюзом для загрузки подложек, опционально может оснащаться кассетной загрузкой и использоваться в составе кластерной системы в комбинации с модулями PlasmaPro 100, FlexAl, Ionfab, Nanofab.
На платформе PlasmaPro 100 реализуется весь ряд технологических процессов плазмохимического травления и осаждения.

Система на платформе PlasmaPro 100 выпускается в различных вариантах исполнения:

Плазмохимическое осаждение (ПХО, PECVD и PECVD-CVD)
конфигурация применяется для осаждения высококачественных слоев SiO2, Si3N4, SiOxNy, SiC, α-Si

Плазмохимическое осаждение с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP CVD)
конфигурация применяется для получения высококачественных слоев SiO2, Si3N4, SiOxNy, SiC, α-Si при низких температурах осаждения

Реактивное ионное травление (РИТ, RIE)
выполняет анизотропное травление широкого круга материалов (SiO2, Si3N4, α-Si, SiC, InP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN и т.п.) с использованием F и Cl-содержащих газов

Травление с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP Etch)
многофункциональная конфигурация, выполняет процессы травления всего спектра материалов, задачи реверсивной инженерии включая вскрытие корпусированных устройств

Технические характеристики

Конфигурации PlasmaPro 100 для плазмохимического травления (RIE, ICP Etch)

Конфигурация RIE ICP65 ICP180 ICP300
Загрузка Вакуумный шлюз или кассетная станция
Максимальный размер подложки 200 мм 50 мм 100 мм 200 мм
Диапазон температур подложкодержателя от -20 до +80 0С от -20 до +80 0С или от -140 до +400 0С
Подача гелия под подложку для улучшения теплового контакта опция
Возбуждение плазмы 300 или 600 Вт
13,56 МГц
300 или 600 Вт
13,56 МГц
ICP 300 или 600 Вт
13,56 МГц
300 или 600 Вт
13,56 МГц
ICP 1200 Вт
13,56 МГц
300 или 600 Вт
13,56 МГц
ICP 1200 или 3000 Вт
2 МГц
Максимальное количество линий подачи технологических газов 8 (12)
Интерферометр нет опция
Спектроскопия плазмы опция
Плазменная очистка камеры между процессами есть
Вакуумная система рабочей камеры ТМН 500 л/сек ТМН 500-1500 л/сек
Конфигурации PlasmaPro 100 для плазмохимического осаждения (PECVD, ICP CVD)
Конфигурация PECVD ICP65 ICP180 ICP300
Загрузка Вакуумный шлюз или кассетная станция
Максимальный размер подложки 200 мм50 мм100 мм200 мм
Диапазон температур подложкодержателя от +60 до +400 (700) 0С от +60 до +400 (700) 0С или от -140 до +400 0С
Подача гелия под подложку для улучшения теплового контакта нет опция
Возбуждение плазмы 300 Вт 13,56 МГц,
опция 500 Вт 100 кГц
300 Вт 13,56 МГц
ICP 300 или 600 Вт
13,56 МГц
300 Вт 13,56 МГц
ICP 1200 Вт
13,56 МГц
300 Вт 13,56 МГц
ICP 1200 Вт или 3000 Вт
2 МГц
Максимальное количество линий подачи технологических газов 8 (12)
Подача газов для легирования опционально: PH3, B2H6, GeH4 и т.п.
Подача жидких прекурсоров TEOS нет
Интерферометр нет опция
Спектроскопия плазмы опция
Плазменная очистка камеры между процессами есть
Вакуумная система рабочей камеры насос Рутса ТМН 500-1500 л/сек
Система управления ПЛК, ПК под управлением Windows 10®, PC4500®
Размер основного блока установки (без учета шлюза) ДхШхВ, мм 1172х650х1531 1172х650х1729

Top