Производственные установки молекулярно-пучковой эпитаксии

MBE-800P

Компактная и экономичная система с 12-ю источниками предназначена для работы с подложками 3х3” или 1х6”. Оснащена простым и дружественным интерфейсом управления и проста в обслуживании. Предусмотрены конструктивные решения для снижения эксплуатационных расходов при эксплуатации установки.

Технические характеристики

MBE-800P Модуль Конфигурация/параметры
Ростовая камера Внутренний диаметр 650 мм
Охлаждаемые экраны LN2 Стандартная конфигурация
Температура подложки 1000 oC
Точность поддержания температуры ±0.2 oC
Максимальный размер подложки 6”
Максимальная скорость вращения подложки 60 об/мин
Конфигурация источников CF100x12
Независимые заслонки источников Привод от электродвигателя
Температура отжига 200 oC
Дифракция быстрых электронов (RHEED) 15~30 кэВ
Анализатор остаточных газов (RGA) 0-200 аем
Предпроцессная подготовка Максимальная температура нагрева 600 oC
Система хранения и загрузки образцов Платформа для парковки образцов 6 позиций
Система нагрева ИК Опционально
Интеграция и система управления Программа управления с графическим интерфейсом (GUIDE) Стандартное оснащение
ПЗС камера Опционально
Перчаточный ящик Опционально
Система восстановления загрязняющих веществ Опционально
Откачной пост Опционально
Система внутреннего освещения камеры Опционально
Атомно-абсорбционная спектроскопия для мониторинга пучка AAFM-3 Опционально
Пирометр для мониторинга температуры подложек BTM-100 Опционально
Top