Травление RIE

Установка плазмохимического травления RIE-H150 реализует процесс реактивного ионного травления или РИТ (в английской литературе - Reactive Ion Etching или RIE) с использованием плазмы ёмкостного разряда. Предназначена для травления слоев Si, SiN_x, SiO₂ и других материалов с использованием F-содержащих газов. Идеально подходит как для исследовательских задач, так и для мелкосерийного производства.
Оборудование поставляются заказчику с предустановленными технологическими рецептами из стандартной библиотеки производителя. Возможна демонстрация или отработка техпроцесса по требованиям заказчика в технологической лаборатории производителя.

Основные особенности

• подложки до 150 мм включительно
• индивидуальная непосредственная загрузка подложек в рабочую камеру
• механический прижим подложки
• поддув He под подложку для обеспечения теплового контакта
• температура подложки в технологическом процессе: 10 - 20 ^oC

Реактивное ионное травление является разновидностью процесса сухого травления, в котором существенной составляющей процесса является ионная бомбардировка поверхности травимого материала. С 80-х годов стандартной конфигурацией РИПТ (реактивное ионно-плазменное травление) для приложений микроэлектронных технологий является емкостный высокочастотный разряд между параллельными электродами (сapaсitively coupled discharge). Подложка размещается на электроде, к которому подводится ВЧ напряжение. Разрядная камера и второй электрод заземлены. Для подачи реакционных газов в зону разряда используется подвод газа через т.н. газовый душ в верхнем, заземленном, (?) электроде. При зажигании ёмкостного разряда, происходит разложение газовой смеси на электроны, ионы и активные радикалы. Анизотропия травления обеспечивается ускорением ионов в направлении подложки при прохождении слоя пространственного заряда у поверхности электрода. При соответствующем выборе параметров разряда, может быть осуществлен также режим близкий к изотропному травлению. Возможна работа установки в режиме травления физическим распылением (ионное травление или ion etching) с использованием инертных газов в качестве рабочей среды газового разряда.