Осаждение PECVD

Установки серии CVD-DH200 реализуют метод PECVD для осаждения пленок оксида и нитрида кремния, оксинитрида кремния, аморфного кремния, аморфного углерода, аморфного карбида кремния и других материалов.
Основной технологический модуль систем серии CVD-DH200 в базовом варианте оснащается вакуумным шлюзом под одну подложку. Опционально может оснащаться вакуумной кассетной загрузкой или использоваться в составе кластерной системы в комбинации с другими модулями травления или осаждения.
Оборудование поставляется заказчику с предустановленными технологическими рецептами из стандартной библиотеки производителя. Возможна демонстрация или отработка техпроцесса по требованиям заказчика в технологической лаборатории производителя.

Основные особенности

• подложки до 200 мм включительно или носители подложек меньшего диаметра
• индивидуальная или кассетная загрузка подложек
• режим смешанных частот для контроля механического напряжения осаждаемых пленок
• контролируемый диапазон температур подложки: 25 ^oC до 400 ^oC
• контроль температуры стенок технологической камеры
• опциональный модуль подачи TEOS

Процесс плазмохимического осаждения из газовой фазы или ПХО (в английской литературе - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition или PECVD) использует плазму тлеющего разряда с емкостной связью для предварительного разложения плёнкообразующего газа.
Термодинамическая неравновесность процессов разложения в газовом разряде позволяет проводить осаждение качественных аморфных пленок при относительно низких температурах (300-400 ^{oC). Свойства и состав получаемого методом ПХО слоя контролируются составом газовой смеси, температурой подложки и условиями ионной бомбардировки. Так, например, для контроля механической напряженности пленок Si_xN_y может применяться режим смешанного возбуждения разряда током высокой (13.56 МГц) и средней частоты (50 - 460 кГц).}