Травление ICP-RIE

Установки ICP-EH200 с источником индуктивно-связанной плазмы применяются для травления широкого спектра материалов, включая Si, SiO2, SiNx, металлы и полупроводниковые материалы III-V. Травление с ICP источником также используется для профилирования различных микро- и наноструктур в области производства СБИС, МЭМС, оптических волноводов и фотоэлектронных устройств.
Основной технологический модуль систем серии ICP-EH200 в базовом варианте оснащается вакуумным шлюзом под одну подложку. Опционально может оснащаться вакуумной кассетной загрузкой и использоваться в составе кластерной системы в комбинации с другими модулями травления или осаждения.
Оборудование поставляется заказчику с предустановленными технологическими рецептами из стандартной библиотеки производителя. Возможна демонстрация или отработка техпроцесса по требованиям заказчика в технологической лаборатории производителя.

Основные особенности

• подложки до 200 мм включительно
• индивидуальная или кассетная загрузка подложек
• механический или электростатический прижим подложки
• поддув He под подложку для обеспечения теплового контакта
• контролируемый диапазон температур подложки: -10 ^oC до +150 ^oC
• анизотропное травление широкого круга материалов с использованием F или Cl-содержащих газов

Травление в индуктивно-связанной плазме (в английской литературе - Inductively Coupled Plasma Etch, Reactive Ion Etching with Inductive Plasma, или ICP Etch, ICP-RIE) является наиболее современным и гибким методом плазмохимического травления микро- и наноструктур.
Индуктивный разряд способен контролируемо создавать плазму высокой плотности с большой концентрацией активных радикалов и ионов. Подача ВЧ смещения на электрод с подложкой обеспечивает гибкое управление энергией ионов и, как следствие, контроль анизотропии травления. Травление с IPC источником обеспечивает высокие скорости травления, селективность и анизотропию с минимальным повреждением структур.
При высоких скоростях травления в ICP Etch конфигурациях может наблюдаться избыточный нагрев подложки. Для улучшения теплоотвода от подложки к охлаждаемому электроду в установках применяется система поддува гелия под подложку.
Установки с ICP источником могут также работать в стандартном режиме RIE с отключенным питанием индуктивного разряда.