Осаждение ICP-CVD

Установки осаждения ICP-DH200 с источником индуктивно-связанной плазмы применяются для получения высококачественных слоев диэлектриков при пониженной температуре осаждения. Широко используется в III-V технологиях, в области производства оптических волноводов и фотоэлектронных устройств.
Основной технологический модуль систем серии ICP-DH200 в базовом варианте оснащается вакуумным шлюзом под одну подложку. Опционально может оснащаться вакуумной кассетной загрузкой и использоваться в составе кластерной системы в комбинации другими модулями травления или осаждения.
Оборудование поставляется заказчику с предустановленными технологическими рецептами из стандартной библиотеки производителя. Возможна демонстрация или отработка техпроцесса по требованиям заказчика в технологической лаборатории производителя.

Основные особенности

• подложки до 200 мм включительно
• индивидуальная или кассетная загрузка подложек
• механический или электростатический прижим подложки
• поддув He под подложку для обеспечения теплового контакта
• контролируемый диапазон температур подложки: 40 ^oC до +150 ^oC
• получение плотных слоев диэлектриков с малым током утечки при температурах осаждения ~ 120 ^oC

Осаждение с источником индуктивно-связанной плазмы (в английской литературе - Inductively Coupled Plasma Deposition, или ICP-CVD) является модификацией метода PECVD в котором нагрев электрода «замещается» ионной бомбардировкой растущей пленки. Для разложения реакционного газа на активные радикалы используется плазма индуктивного разряда. Подложка размещается на электроде, к которому подводится ВЧ напряжение для создания электрического смещения. Величина смещения электрода определяет энергию и поток ионов на поверхность подложки. Ионная бомбардировка поверхности пленки приводит к увеличению поверхностной подвижности радикалов, стимулирует уплотнение и “укладку” растущей пленки. Это позволяет подобрать режимы низкотемпературного (вплоть до 50 ^oС) осаждения качественных слоев в SiO₂, SiN_x, аморфного кремния и других материалов.
Свойства и состав получаемой пленки контролируются составом газовой смеси, мощностью индуктивного разряда, температурой подложки и условиями ионной бомбардировки.
К сложностям метода можно отнести не слишком высокую конформность осаждения, что связано с определяющей ролью анизотропной ионной бомбардировки в росте и формировании пленки.