Турбомолекулярные насосы

MBE

Veeco предлагает самую широкую в отрасли номенклатуру надёжных инновационных систем для молекулярно-лучевой эпитаксии.

Вакуумные установки Veeco на платформе GEN представлены в следующих модификациях:

  • GENxplor R&D - передовая высокопроизводительная система для научно-исследовательских целей.

    • Высококачественные эпитаксиальные слои на подложках диаметром до 3 дюймов.

    • Электрический нагрев с экстремально высокой температурой > 1850°C.

    • Эффективная универсальная конструкция сочетает ручное управление с автоматикой для экономии пространства в лаборатории до 40% по сравнению с другими системами MBE.

    • Идеально подходит для исследований широкого круга материалов, включая GaAs, нитриды и оксиды.

    • Программное обеспечение Molly включает написание рецептов и непрерывное протоколирование данных.

    • Возможность дооснащения до систем GEN20, GEN200 и GEN2000.

  • GENxcel R&D - система, обеспечивающая высококачественные эпитаксиальные слои на подложках диаметром до 4 дюймов. Созданная на базе платформы GENxplor R&D, расширяет её возможности, ограниченные габаритами подложек в 3 дюйма.

  • GEN10 - наиболее экономичная и гибкая кластерная система на проверенной платформе, позволяющая использовать до трёх конфигурируемых модулей.

    • Автоматический транспорт пластин обеспечивает высокую степень использования системы, позволяя использовать систему одновременно для разных задач.

    • Возможность осаждения "несовместимых" материалов в одном вакуумном цикле без выноса подложки на атмосферу.

    • Возможность дооснащения дополнительными модулями и апгрейда до более крупных систем линейки.

  • GEN20 - установки для эпитаксиального выращивания структур на основе соединений типа III-V

    • Вертикально ориентированный к подложке источник с 12 портами и возможностью добавления электронно-лучевого испарителя.

    • Ручной или автоматический транспорт пластин.

    • Возможность использования до двух ростовых модулей.

  • GEN200 - самая высокопроизводительная система Multi-4" на рынке. Обеспечивает превосходное качество пластин при росте материалов на основе GaAs или InP для устройств накачки лазеров, VCSEL и HBT.

    • Самая низкая себестоимость роста эпитаксиальных плёнок на пластинах системы загрузки 4 х 4".

    • Экономия занимаемого пространства за счёт модульной архитектуры.

    • Возможность использования до двух ростовых модулей, позволяющая обрабатывать "несовместимые" материалы.

  • GEN2000 - идеальный выбор для массового производства устройств беспроводной связи, таких как HBT и pHEMT, а также иных устройств, требующих использование системы Multi-6". Система обеспечивает самую низкую в отрасли стоимость обработки одной пластины.

Top