PlasmaPro Estrelas 100 – специализированная установка для глубокого травления кремния. (Bosch-процесс или Deep Silicon Etch-DSE). Установка обеспечивает максимальную гибкость и воспроизводимость технологического процесса как в исследовательских, так и производственных задачах. Аппаратная часть установки специально спроектирована для проведения процесса с контролируемой сменой режима пассивации и травления. В установке используется быстродействующая система управления, специализированная система согласования нагрузки, быстродействующие регуляторы расхода газа, применена уменьшенная по объему рабочая камера и система прогрева стенок.
Реализованные на установке PlasmaPro Estrelas 100 режимы глубокого травления кремния обеспечивают одни из лучших результатов в отрасли.
Аппаратная часть установки позволяет также проводить высококачественный процесс криогенного травления кремния и травление оксида кремния.
Установка PlasmaPro Estrelas 100 может использоваться как единичная система с индивидуальной загрузкой подложек через вакуумный шлюз, так и в составе высокопроизводительных кластеров с кассетной загрузкой.
Технические характеристики
|
Достижимые результаты Bosh-процесса на подложке 200 мм |
||
|---|---|---|
|
Скорость травления |
> 30µм/мин |
|
|
Селективность к фоторезисту |
> 300:1 |
|
|
Аспектное отношение |
> 80:1 |
|
|
Шероховатость стенок травления |
< 10 нм |
|
|
Подтрав под маску |
< 25 нм |
|
|
Профиль травления |
90 ± 1° |
|
|
Подтрав у стоп-слоя КНИ |
< 100 нм |
|
|
Однородность травления |
±3% |
|
| Характеристики установки PlasmaPro Estrelas 100 | ||
|
Максимальный размер подложки |
200 мм |
|
|
Загрузка подложек |
Индивидуальная через вакуумный шлюз или кассетная |
|
|
Диапазон температур подложкодержателя с механическим прижимом подложки |
от -140 до +80 0С |
|
|
Диапазон температур опционального подложкодержателя с электростатическим прижимом подложки (ESC) |
от -20 до +80 0С |
|
|
Количество линий подачи газа с быстродействующими регуляторами расхода |
до 5 |
|
|
Подача гелия под подложку для улучшения теплового контакта |
есть |
|
|
Возбуждение плазмы |
300 или 600 Вт 13,56 МГц |
|
|
НЧ генератор для реализации режимов с уменьшенным подтравом у стоп-слоя КНИ |
опция |
|
|
Интерферометр |
опция |
|
|
Спектроскопия плазмы |
опция |
|
|
Плазменная очистка камеры между процессами |
есть |
|
|
Вакуумная система рабочей камеры |
ТМН 1500 или 2200 л/сек |
|
|
Система управления |
ПЛК, ПК под управлением Windows 10®, PC4500® |
|
|
Размер основного блока установки (без учета шлюза) ДхШхВ, мм |
1815х783х1847 |
|