Плазменные технологии

Плазмохимическое травление, осаждение, плазменно-стимулированное атомно-слоевое травление и осаждение
Ионно-лучевое травление и осаждение

PlasmaPro 100 ALE

PlasmaPro 100 ALE

PlasmaPro 100 ALE - специализированная установка на платформе PlasmaPro 100 для реализации процессов Атомно-слоевого травления (Atomic Layer Etch, ALE).
Быстродействие системы управления платформы PlasmaPro 100 в сочетании с быстродействующими клапанами подачи газа, прецизионной системой согласования нагрузки и оптимизированной системы подачи газов и откачки модификации PlasmaPro 100 ALE позволяют реализовать высококачественные процессы атомно-слоевого травления с высокой скоростью и надежной воспроизводимостью.
Модификация PlasmaPro 100 ALE сохраняет все возможности стандартной системы травления PlasmaPro 100 ICP300.
PlasmaPro 100 ALE может использоваться в составе кластерной системы. Особенно эффективным оказывается его комбинация с модулями Nanofab и FlexAl в исследовательских задачах получения новых наноструктур и устройств на их основе.

Дополнительная информация по методу Атомно-слоевого травления опубликована в журнале
COMPOUND SEMICONDUCTOR Volume 24 Issue 3 p. 40.

Технические характеристики

Материалы в процессах ALE

Травимый материал Газ - реагент Газ - травитель
Si или a-Si Cl2 Ar
MoS2 Cl2 Ar
SiO2 CHF3 или C4F8 Ar или O2
AlGaN/GaN Cl2, BCl3 Ar
AlGaN/GaN N2O BCl3
GaAs/AlGaAs Cl2, BCl3 Ar
InP/InGaAsP CH4, Cl2 Ar
Si3N4 H2 Ar
Al2O3 BCl3 Ar
Графен O2 Ar
HfO2, ZrO2 Cl2, BCl3 Ar
Характеристики установки PlasmaPro 100 ALE

Максимальный размер подложки

200 мм

Скорость травления Si в ALE процессе

до 70Å/мин

Минимально программируемый шаг технологического процесса

10 мс

Скорость срабатывания клапанов подачи технологического газа

10 мс

Количество линий подачи газа с быстрыми клапанами переключения

до 5

Максимальное количество линий подачи технологических газов

8 (12)

Диапазон температур подложкодержателя

от -20 до +80 0С

Подача гелия под подложку для улучшения теплового контакта

есть

Диаметр источника индуктивно-связанной плазмы

300 мм

Возбуждение плазмы

300 или 600 Вт 13,56 МГц
ICP 3000 Вт 2 МГц

Минимальный контролируемый шаг ВЧ мощности на электроде

0.3 Вт

Интерферометр

опция

Спектроскопия плазмы

опция

Плазменная очистка камеры между процессами

есть

Вакуумная система рабочей камеры

ТМН 1500 л/сек

Система управления

ПЛК, ПК под управлением Windows 10®, PC4500®

Размер основного блока установки (без учета шлюза) ДхШхВ, мм

1172х650х1729

Top