PlasmaPro 100 ALE - специализированная установка на платформе PlasmaPro 100 для реализации процессов Атомно-слоевого травления (Atomic Layer Etch, ALE).
Быстродействие системы управления платформы PlasmaPro 100 в сочетании с быстродействующими клапанами подачи газа, прецизионной системой согласования нагрузки и оптимизированной системы подачи газов и откачки модификации PlasmaPro 100 ALE позволяют реализовать высококачественные процессы атомно-слоевого травления с высокой скоростью и воспроизводимостью.
Модификация PlasmaPro 100 ALE сохраняет все возможности стандартной системы травления PlasmaPro 100 ICP300.
PlasmaPro 100 ALE может использоваться в составе кластерной системы. Особенно эффективным оказывается его комбинация с модулями Nanofab и FlexAl в исследовательских задачах получения новых наноструктур и устройств на их основе.
Дополнительная информация по методу Атомно-слоевого травления опубликована в журнале
COMPOUND SEMICONDUCTOR Volume 24 Issue 3 p. 40.
Технические характеристики
|
Материалы в процессах ALE |
||||
|---|---|---|---|---|
| Травимый материал | Газ - реагент | Газ - травитель | ||
| Si или a-Si | Cl2 | Ar | ||
| MoS2 | Cl2 | Ar | ||
| SiO2 | CHF3 или C4F8 | Ar или O2 | ||
| AlGaN/GaN | Cl2, BCl3 | Ar | ||
| AlGaN/GaN | N2O | BCl3 | ||
| GaAs/AlGaAs | Cl2, BCl3 | Ar | ||
| InP/InGaAsP | CH4, Cl2 | Ar | ||
| Si3N4 | H2 | Ar | ||
| Al2O3 | BCl3 | Ar | ||
| Графен | O2 | Ar | ||
| HfO2, ZrO2 | Cl2, BCl3 | Ar | ||
| Характеристики установки PlasmaPro 100 ALE | ||||
|
Максимальный размер подложки |
200 мм |
|||
|
Скорость травления Si в ALE процессе |
до 70 Å/мин |
|||
|
Минимально программируемый шаг технологического процесса |
10 мс |
|||
|
Скорость срабатывания клапанов подачи технологического газа |
10 мс |
|||
|
Количество линий подачи газа с быстрыми клапанами переключения |
до 5 |
|||
|
Максимальное количество линий подачи технологических газов |
8 (12) |
|||
|
Диапазон температур подложкодержателя |
от -20 до +80 0С |
|||
|
Подача гелия под подложку для улучшения теплового контакта |
есть |
|||
|
Диаметр источника индуктивно-связанной плазмы |
300 мм |
|||
|
Возбуждение плазмы |
300 или 600 Вт 13,56 МГц |
|||
|
Минимальный контролируемый шаг ВЧ мощности на электроде |
0.3 Вт |
|||
|
Интерферометр |
опция |
|||
|
Спектроскопия плазмы |
опция |
|||
|
Плазменная очистка камеры между процессами |
есть |
|||
|
Вакуумная система рабочей камеры |
ТМН 1500 л/сек |
|||
|
Система управления |
ПЛК, ПК под управлением Windows 10®, PC4500® |
|||
|
Размер основного блока установки (без учета шлюза) ДхШхВ, мм |
1172х650х1729 |
|||