Плазменная очистка, вакуумный отжиг, химическое осаждение
Установка YES-CV200RFS предназначена для быстрого снятия толстых слоев фоторезиста и полиимида. Скорость снятия фоторезиста может достигать 7000 А/мин. Установка также применяется для плазменной очистки от органических загрязнений и активации поверхности. Установка оснащена электродной системой для размещения одной подложки 50-200 мм и системой фиксации подложек на электроде.
В установке используется трехэлектродная система и реализуется режим травления в плазме послесвечения т.н. Electron Free Downstream Mode. Подложка располагается на нижнем заземленной электроде. Разрядная зона образована верхним (нагруженным) и средним (заземленным) сетчатым электродом. Такая конфигурация позволяет сбалансировать заряд, выносящийся на поверхность подложки при травлении, и существенно снижает уровень УФ излучения плазмы, попадающего на поверхность подложки. Установка идеально подходит для обработки подложек с чувствительными к излучению и внесенному заряду структурами (КМОП, ТВПЭ и т.п.).
Основные применения установки YES-CV200RFS:
Основные установочные данные |
|
Совместимость с чистыми помещениями |
Класс 10 |
Соответствие стандартам |
SEMI S2/S8, CE |
Размеры подложек и загрузка |
50-200 мм. 200 мм - 1 шт., 100 мм - 2 шт. |
Внутренние размеры технологической камеры |
254 мм х 285 мм х 49 мм |
Рабочая площадь электрода |
316 см2 |
Общий размер установки (без сигнальной башни) |
61 см (Д) х 71.7 см (Ш) (с открытым лотком загрузки – 110 см) х 114.3 см (В) |
Материалы рабочей камеры |
Алюминий, 6061-T6 |
Вход технологического газа |
4 входа с игольчатыми натекателями (опционально - РРГ) |
N2 или чистый сухой воздух для работы пневматических устройств |
5.5-6.8 бар, максимальный расход 1 л/сек |
N2 для продувки камеры |
1-1.7 бар, максимальный расход 3.2 л/сек |
Технологический газ для процесса |
1-1.7 бар, расход 20-50 см3/мин |
Вакуумная линия |
Соединение KF40. Минимальные требования: Скорость откачки в точке соединения: 27 м3/час Предельный вакуум: <0,01 торр |
Охлаждение установки |
Воздушная конвекция |
Вес системы |
147.2 кг |
Электропитание |
200-250 В, 1 фаза, 20 А, 50 Гц |
Программное обеспечение |
|
Система управления |
Контроллер ПЛК с сенсорным экраном |
Количество технологических рецептов |
12 |
Диапазон устанавливаемого времени экспозиции |
0-1200 сек |
Минимальный шаг технологического рецепта |
1 сек |
Технологические характеристики |
|
Диапазон программируемого нагрева подложки |
25 °C - 250 °C |
Источник питания для поддержания плазмы |
40 кГц, 100-1000 Вт. |
Контроль давления в камере |
Датчик давления конвекционного типа 0.1-1000 торр |
Скорость снятия фоторезиста |
> 7000 А/мин |
Однородность травления |
< 10% |
Наведенный заряд после травления |
<10 мВ, в затворном диэлектрике 200 А |
Производительность в типично процессе снятия фоторезиста |
60-90 сек/подложка |
Тепловая нагрузка на помещение от работающей установки |
920 Вт (средняя) |
Стандартные опции |
|
Цифровые регуляторы расхода газа (РРГ) |
На каждую/любую из установленных линий |
Форвакуумный насос |
Сухой спиральный насос (не рекомендуется при использовании CF4) или пластинчато-роторный насос, Fomblin версия с фильтром масляного тумана |
Автомат регулирования давления |
Вакуумный затвор переменного сечения с автоматикой поддержания заданного давления по показаниям емкостного вакуумметра |
Система компьютерного сбора данных и протоколирования работы |
Включает интерфейс установки RS232, персональный компьютер, монитор, программное обеспечение |
Система размещения установки |
Стальной трейлер в исполнении для чистых помещений с блокирующимися колесиками |