Системы Semilab LEI-1600 для бесконтактного измерения подвижности носителей заряда методом, основанным на анализе отраженной энергии сверхвысокочастотных колебании. Обеспечивают картографирование подвижности носителей, что позволяет позволяет оптимизировать ростовые реакторы и получить максимальный выход годных изделий.
LEI-1616AM, LEI-1618AM, LEI-1616RP, LEI-1618RP
LEI-1616 идеально подходит как для НИОКР, так и для производства ВЧ и СВЧ устройств.
Постоянный магнит позволяет измерять подвижность до 100 см2/В*с и удельное слоевое сопротивление в диапазоне 100-3000 Ом/кв.
В модификациях AM загрузка и выгрузка пластин производиться вручную, а измерения и картографирование автоматизированы. Установки способны обрабатывать 50-200 мм пластины.
Модификации RP включают робот загрузчик.
В модели LEI-1618 добавлена интегрированная головка вихревого тока для повышения точности измерения слоевого сопротивления.
LEI -1610E100AM, LEI -1610E100R
LEI-1610E100 идеально подходит как для НИОКР, так и для массового производства устройств, имеющих низкий уровень подвижности (до 100 см2/В*с).
Входящий в состав установки электромагнит позволяет измерять подвижность до 100 см2/В*с. Уд. слоевое сопротивление измеряется в диапазоне 100-3000 Ом/кв.
Электромагнит также позволяет проводить измерения на множестве магнитных (В) полей. Это дает возможность составить модель носителей в нескольких слоях, что сравнимо с возможностями обычных измерительных систем Холла.
В модификациях AM загрузка и выгрузка пластин производиться вручную, а измерения и картографирование автоматизированы. Установки способны обрабатывать 50-200 мм пластины.
RP модификация роботизирована и позволяет обрабатывать либо 50-150 мм, либо 76-200 мм пластины.
LEI -3200RP
LEI-3200RP объединяет возможность измерения как подвижности (блок измерений 1610E100) так и уд. слоевого сопротивления (блок 1510). Такое сочетание дает возможность измерять уд. слоевое сопротивление в диапазоне от 0,0035 до 3000 Ом/кв, подвижность даже самого низкого уровня, до 100 см2/В*с и составить модель носителей в нескольких слоях.
Технические характеристики
|
Модель |
1616АМ (RP) |
1618АМ (RP) |
1610E100AM (R) |
|
|
Динамическая повторяемость для подвижности и слоевого сопротивления |
||||
|
~ 100 - 600 см2/В*с |
нет |
± 3.0% |
|
|
|
~ 600-1.500 см2/В*с |
± 4.0% |
± 3.5% |
± 2.5% |
|
|
~ 1500 -10.000 см2/В*с |
± 3.5% |
± 3.0% |
± 2.0% |
|
|
~ 10,000 – 20.000 см2/В*с |
± 4.0% |
± 3.5% |
± 2.5% |
|
|
~ 100 – 3.000 Ом/кв |
± 2.5% |
± 2.0% |
± 2.0% |
|
|
Статистическая повторяемость для подвижности и слоевого уд. сопротивления |
± 2.0 % |
± 1.5 % |
± 2.0 % |
|
|
Типичный зазор (устанавливается на заводе) |
≤1.27 мм |
≤1.016 мм |
|
|
|
Диаметр пятна измерений |
14 мм |
21 мм |
|
|
|
Диаметр пластин |
2” – 6” |
2” – 8” |
2” – 8” |
|