Высококачественные системы масс-спектрометрии вторичных ионов

AutoSIMS

Hiden AutoSIMS - это автономный, автоматизированный ВИМС (Secondary Ionization Mass Spectrometry, SIMS) инструмент для текущего и итеративного анализа поверхности методами масс-спектрометрии вторичных ионов и вторичных нейтралей. Идеально подходит для исследования тонких пленок, анализа загрязнений и примесей верхнего монослоя толщиной в несколько микрон как в проводящих так и в не проводящих материалах.
Образцы загружаются с помощью модульного кассетного держателя и позиционируются посредством прецизионного столика с компьютерным управлением. Ионная пушка с высокой стабильностью пучка и аналитические рецепты обеспечивают работу системы в полностью автоматическом режиме. Вывод и передача результатов осуществляется в пользовательском формате или формате электронной таблицы. Благодаря простой электронной таблице можно определить положение анализа и тип используемого рецепта, что также позволяет оператору без особых усилий скомпилировать сложную экспериментальную матрицу.
Для опытных исследователей доступен полный спектр SIMS и SNMS параметров, что позволяет использовать прибор AutoSIMS в качестве мощного исследовательского инструмента, обеспечивающего высокое разрешение по глубине анализа образца при невысоких эксплуатационных расходах.

Основные достоинства AutoSIMS:

  • Полностью автоматизированный SIMS анализ
  • Нанометровое разрешение по глубине
  • 3D-характеризация образца
  • Настраиваемый держатель образцов кассетного типа c X-Y приводом
  • Стабильный кислородный источник ионов
  • Модульная конструкция, предусматривающая простое обслуживание для обеспечения безотказной работы

Технические характеристики

Параметр

Значение

Диапазон масс

50, 300, 510 аем

Минимально детектируемая концентрация элемента

ppm

Метод SIMS – Secondary Ion Mass Spectrometry

есть

Возможности анализа вторичных ионов

положительно заряженные ионы
(опционально - отрицательно заряженные ионы)

Метод SNMS – Secondary Neutral Mass Spectrometry

опционально

Разрешение по глубине

3 нм

Минимально детектируемая концентрация (B в Si)

1017 атомов см-3

Минимально детектируемая концентрация (SNMS)

1%

Перемещение образца

автоматическое X-Y

Top