Многоволновая эллипсометрия

Универсальные эллипсометры

FS-1

FS-1

Многоволновой эллипсометр FS-1 Film Sense на основе 4-х светодиодных источника света c гарантированным временем работы не менее 50 000 часов. Конструкция эллипсометра не содержит движущихся частей в детекторном блоке и позволяет провести сбор данных для измерений в одной точке образца для всех длин волн за 10 мсек. При большом времени накопления сигнала (~ 1 сек) обеспечивается точность измерения толщины до 0,001 нм. Для прозрачных пленок максимальная измеряемая толщина составляет не менее 1 мкм.
Программное обеспечение использует пользовательский интерфейс на основе веб-браузера и не требует установки программного обеспечения на управляющем компьютере. Реализованы простые в использовании режимы для проведения однократных, непрерывных и динамических измерений, калибровки и тестирования датчика, а также для построения и тестирования моделей анализа данных.
При обработке данных реализуется традиционный подход к анализу методом наименьших квадратов. Модели построены путем простого выбора материалов для подложки и слоя (слоев) и определения параметров модели (таких как толщина слоя, угол падения измерительного луча, показатель преломления и т. д.). Алгоритм регрессии автоматически корректирует параметры модели, чтобы минимизировать разницу между рассчитанными и измеренными эллипсометрическими данными модели, что приводит к «наилучшим образом подходящим» значениям для параметров подгонки.

Эллипсометр предлагается в нескольких вариантах исполнения:

  • FS-1 In situ на фланцах 2.75” или 1.33″ CF для монтажа в установки осаждения (PVD, ALD, MBE, MOCVD)
  • FS-1 Standard Frame со столиком для размещения образцов диаметром до 200 мм и высотой до 23 мм
  • FS-XY150 с маппингом X(150 мм), Y(150 мм) и разрешением 5 μм
  • FS-RT300 c маппингом R (150 мм), разрешением 12 μм и Ɵ(360°), разрешение 0.1°

Технические характеристики

Образец

Параметр

Точность

Достоверность

2 нм естественный оксид на Si

Толщина

0.092 нм

0.00094 нм

50 нм оксид на Si (NIST SRM)

Толщина

Коэффициент преломления @ 633 нм

0.32 нм

0.014

0.007 нм

0.00016

100 нм оксид на Si

Толщина

Коэффициент преломления @ 633 нм

0.18 нм

0.0004

0.002 нм

0.00002

1000 нм оксид на Si

Толщина

1.0 нм

0.0048 нм

100/50/100 нм SiO2/Si3N4/SiO2 на Si

SiO2 Толщина

Si3N4 Толщина

SiO2 Толщина

0.54 нм

1.0 нм

1.4 нм

0.0049 нм

0.0096 нм

0.013 нм

6 нм TiO2 на Si

Толщина

Коэффициент преломления @ 633 нм

0.066 нм

0.051

0.0014 нм

0.0008

70 нм Al2O3 на Si

Толщина

Коэффициент преломления @ 633 нм

0.17 нм

0.0007

0.0014 нм

0.000046

500 нм Si3N4 на Si

Толщина

Шероховатость

Коэффициент преломления @ 633 нм

k @ 633 нм

2.7 нм

0.52 нм

0.011

0.0006

0.048 нм

0.0056 нм

0.00017

0.000015

130 нм SiO2 на Au

Толщина

Коэффициент преломления @ 633 нм

1.8 нм

0.0076

0.0039 нм

0.000021

Top